ОСОБЕННОСТИ ФОРМИРОВАНИЯ КОМПЛЕМЕНТАРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ ДЛЯ ИМС С ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ИЗОЛЯЦИЕЙ ЭЛЕМЕНТОВ

A. N. Gorban, V. V. Kravchina

Анотація


В работе оптимизированы процессы селективной эпитаксии слоев кремния на структурах Si-SiO2-Si*, процессы формирования диэлектрической изоляции и диффузионных областей комплементарных биполярных транзисторных структур. При формировании диэлектрической изоляции элементов ИМС проводится окисление границы между эпитаксиальными слоями эпимоно-Si и эпи-Si*, расположенной под углом 55° к поверхности. В этом случае градиент механических напряжений направлен или к краевой области объема моно-Si или в объем слоя эпи-Si* и образование механических напряжений достаточных для генерации дефектов в слое эпимоно-Si не происходит. При толщине эпитаксиальной пленки 3,0–4,0 мкм характеристики комплементарных транзисторов составили величины Uке > 20 В и β ≥ 60.

Ключові слова


комплементарные биполярные транзисторы, диэлектрическая изоляция, селективная эпитаксия, ток утечки.

Повний текст:

PDF (Russian)




Адреса редакції журналу:
Редакція журналу «РІУ», Запорізький національний технічний університет, 
вул. Жуковського, 64, м. Запоріжжя, 69063, Україна. 
Телефон: 0 (61) 769-82-96 – редакційно-видавничий відділ
E-mail: rvv@zntu.edu.ua

При повному або частковому використаннi матерiалiв посилання на журнал є обов’язковим.